Elementy Energoelektroniczne

Odpowiedzialny za przedmiot:

dr inż. Mieczysław Nowak

Typ przedmiotu:

Elektrotechnika, II stopień, sem. 1, W:15h,
Automatyka i Robotyka, I stopień, sem. 4, W:30h,

Informacje ogólne:

Wprowadzenie w dziedzinę i jej specyfikę. Fizyczne właściwości struktur złączowych półprzewodnikowych przyrządów mocy. Budowa, właściwości i charakterystyki statyczne oraz parametry dynamiczne podstawowych przyrządów półprzewodnikowych. Zasady stosowania i doboru. Problemy projektowania termicznego. Budowa i właściwości zespołów magnetycznych i kondensatorów. Elementy i zespoły specjalne- współpracujące i stosowane do zabezpieczeń.

Szczegółowe treści merytoryczne:

1. Wprowadzenie w specyfikę budowy i kierunki rozwoju elementów energoelektronicznych (2 godz)
2. Fizyczne właściwości struktur w półprzewodnikowych przyrządach mocy. Nowe materiały półprzewodnikowe (3 godz)
3. Budowa, właściwości i charakterystyki statyczne oraz parametry dynamiczne podstawowych przyrządów półprzewodnikowych, (diody. tranzystor bipolarny, tyrystor, GTO; GCT; MOS, IGBT, moduły inteligentne. (10 godz)
4. Zabezpieczenia przepięciowe i zwarciowe, układy sterowania, obwody odciążające (3 godz)
5. Zasady doboru napięciowego i termicznego przyrządów półprzewodnikowych: Modele termiczne dla stanów ustalonych i stanów przejściowych (4 godz)
6. Elementy magnetyczne: podstawowe zjawiska i technologie , transformatory, dławiki średniej częstotliwość projektowanie termiczne (4 godz)
7. Kondensatory bipolarne i spolaryzowane, , superkondensatory (2 godz)
8. Elementy specjalne czujniki pomiarowe, fotoogniwa (2 godz)

Bibliografia:

1. Nowak M. Barlik R. Poradnik Inżyniera Energoelektronika WNT 1998
2. Mohan N., Undeland T.M. , Robbins W.P. Power electronics JW&S NJ 1995
3. Januszewski S., Świątek H. Półprzewodnikowe przyrządy mocy WKŁ Warszawa 1999.
4. Napieralski A., Napieralska M. Polowe półprzewodnikowe przyrządy dużej mocy WNT 1995

Dokumentacja:

Wykłady:

1. Wykład 1
2. Wykład 2
3. Wykład 3
4. Wykład 4
5. Wykład 5
6. Wykład 6
7. Wykład 7
8. Wykład 8
9. Wykład 9

Wykłady do notatek:

MOSFET

Zadania:

Pytania kontrolne 2011

Przydatne adresy:

1. Infineon
2. IXYS
3. IR
4. ST